Trong báo cáo tài chính đầy đủ công bố ngày 30/4, Giám đốc mảng bộ nhớ của Samsung, Kim Jae-june cảnh báo tình trạng “thiếu hụt nghiêm trọng” đối với các sản phẩm chip nhớ dự kiến kéo dài ít nhất đến năm 2027.
Theo công ty, tỷ lệ đáp ứng nhu cầu đã giảm xuống mức thấp kỷ lục do khách hàng đổ xô đảm bảo nguồn cung trong tương lai. Lời cảnh báo này tương đồng với những bình luận từ đối thủ SK Hynix trong cuộc họp báo cáo kết quả kinh doanh chỉ một tuần trước đó.
Cùng với Micron Technology của Mỹ, Samsung và SK Hynix kiểm soát hơn 90% thị trường DRAM toàn cầu. Khi hai trong ba nhà cung cấp bộ nhớ lớn nhất thế giới đồng loạt cảnh báo về tình trạng thiếu hụt kéo dài nhiều năm, mối lo ngại này là hoàn toàn có cơ sở.
Tình trạng thiếu hụt chủ yếu bắt nguồn từ nhu cầu xây dựng cơ sở hạ tầng trí tuệ nhân tạo. Các hệ thống AI hiện đại đòi hỏi lượng lớn bộ nhớ tốc độ cao để liên tục cung cấp dữ liệu cho GPU và bộ tăng tốc. Trọng tâm của sự bùng nổ nhu cầu này là HBM, một dạng DRAM xếp chồng dọc được thiết kế để cung cấp băng thông cực cao trong khi vẫn nằm sát các bộ vi xử lý.
HBM đã trở thành thành phần quan trọng đối với các bộ tăng tốc AI. Tuy nhiên, công nghệ này rất khó và đắt đỏ để sản xuất, đòi hỏi các kỹ thuật xếp chồng khuôn tiên tiến, liên kết chính xác và đóng gói phức tạp. Hậu quả là nguồn cung bị hạn chế và nhu cầu đang vượt quá khả năng mở rộng công suất của các nhà sản xuất.
Dù sự thiếu hụt chủ yếu do nhu cầu HBM thúc đẩy, tác động của nó đang bắt đầu lan sang thị trường bộ nhớ rộng lớn hơn. Vì bản thân HBM là một dạng DRAM, các nhà sản xuất đang ngày càng phân bổ lại năng lực sản xuất, nguồn nhân lực kỹ thuật và vốn đầu tư sang các sản phẩm bộ nhớ AI có biên lợi nhuận cao.
Sự chuyển dịch đó có nguy cơ thắt chặt nguồn cung cho các sản phẩm DRAM truyền thống dùng trong máy chủ, máy tính cá nhân và thiết bị di động. Nhu cầu ổ cứng SSD dành cho doanh nghiệp cũng đang tăng khi các trung tâm dữ liệu AI đòi hỏi cơ sở hạ tầng lưu trữ khổng lồ song song với phần cứng tính toán.
Trớ trêu thay, ngành công nghiệp này cũng đang đồng thời tìm kiếm các giải pháp thay thế vì kiến trúc bộ nhớ hiện tại tiêu thụ lượng điện năng khổng lồ. Những nỗ lực phát triển các công nghệ bộ nhớ thế hệ tiếp theo như 3D X-DRAM và ZAM đang được tiến hành nhằm giảm mức tiêu thụ điện và giảm bớt các hạn chế về quy mô.
Dù vậy, bất chấp các khoản đầu tư khổng lồ vào các giải pháp thay thế, nhu cầu đối với các công nghệ bộ nhớ hiện tại vẫn quá lớn.
Samsung cho biết một số khách hàng đã chốt được nguồn cung phân bổ đến tận năm 2027. Hồi đầu năm nay, Chủ tịch Tập đoàn SK Chey Tae-won nhận định áp lực nhu cầu bộ nhớ liên quan đến AI có thể kéo dài đến năm 2030.
Tuy nhiên, tình trạng khan hiếm không hẳn là tin xấu đối với các công ty này.
Bộ phận bán dẫn của Samsung ghi nhận lợi nhuận hoạt động 53,7 nghìn tỷ won (36,1 tỷ USD) trong quý 1/2026, chiếm khoảng 94% tổng lợi nhuận hàng quý của công ty khi nhu cầu bộ nhớ AI tăng vọt thúc đẩy doanh số kỷ lục. Trong khi đó, SK Hynix báo cáo doanh thu hàng quý kỷ lục 52,6 nghìn tỷ won (35,5 tỷ USD) và lợi nhuận hoạt động 37,6 nghìn tỷ won (27,8 tỷ USD), phần lớn nhờ doanh số bán HBM bùng nổ cho hạ tầng AI.
Để giải quyết cuộc khủng hoảng, các công ty đang ráo riết mở rộng năng lực sản xuất và tăng cường đầu tư vào các khâu đóng gói và chế tạo bộ nhớ tiên tiến. Theo Korea Times, các hồ sơ pháp lý gần đây cho thấy Samsung Electronics đã đầu tư 465,4 tỷ won vào nhà máy chip nhớ Tây An (Trung Quốc) trong năm 2025, tăng 67,5% so với cùng kỳ năm trước. SK Hynix cũng tăng mạnh chi tiêu, đầu tư 581,1 tỷ won vào các cơ sở ở Vô Tích và 440,6 tỷ won vào hoạt động tại Đại Liên.
Dù vậy, các nhà máy chế tạo chất bán dẫn và cơ sở đóng gói bộ nhớ tiên tiến mất nhiều năm để mở rộng và tăng tốc, đồng nghĩa với việc tăng trưởng nguồn cung không thể bắt kịp tốc độ nhu cầu do AI thúc đẩy.
(Theo Tom’s Hardware)
